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6月21日，在驱散好意思洲、欧洲、中国台湾等地的年度时候论坛之后，台积电时候论坛上海场阐扬举行。

对于这次上海论坛的内容，除了通知将推露面向汽车的N3AE和N3A制程，以及面向射频的N4PRF制程之外，基本与之前的外洋时候论坛内容邻近。

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据媒体报说念，这次时候论坛将由台积电总裁魏哲家亲身领军，两位资深副总司理张晓强和侯永清也将出席，一瞥东说念主还将造访阿里巴巴、壁仞科技等公司。

本年4月底，台积电时候论坛由北好意思场、新竹场、欧洲场、以色列场进行于今，除聚焦台积电包括制程节点、秉性制程及3D Fabric（先进封装）时候，外界也眷注市况变化；值得戒备的是，在新竹场，魏哲家一开始就提到大师通胀严重，扫数产业都出现资本上升的问题，从建厂到半导体开荒采购，扫数资本都在高潮。

据行业媒体芯智讯分析称：

这次台积电上海时候论坛的召开，以及传说台积电总裁魏哲家，在会后带队造访中国大陆客户，主义是为了进一步加强与境内厂商的合作，申斥如好意思国新规等外皮身分对于台积电与境内客户之间平时合作的影响，即明确对于在非实体清单内的国内客户不错不受影响的平时间工合作，也等于说当前台积电滥觞进的3nm代工都不会受到影响。

对于台积电来说，在半导体行业下行周期之下，加强与大陆厂商合作，也有望匡助台积电晋升产能利用率和看守毛利率。

芯智讯提到，由于论坛分歧媒体绽放，字据台积电官方仅提供的府上，台积电觉得，随著 AI、5G 和其他先进工艺时候的发展，大师正通过颖悟边际网路产生多半的运算使命负载，因此需要更快、更节能的晶片来知足此需求。

以下为芯智讯所整理的报说念详备内容：

一、先进制程

跟着台积电的先进工艺时候从 10 纳米发展至 2 纳米，台积电的能源效率在约十年间以 15% 的年复合增长率晋升，以赈济半导体产业的惊东说念主成长。

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台积电先进工艺时候的产能年复合增长率在 2019 年至 2023 年间将越过40%。

四肢第一家于 2020 年运行量产 5 纳米的晶圆厂，台积电通过推出 N4、N4P、N4X 和 N5A 等时候，捏续强化其 5 纳米工艺眷属。

台积电的 3 纳米工艺时候是半导体产业中第一个已毕高量产和高良率的工艺时候，台积电瞻望 3 纳米将在挪动和 HPC 应用的驱动下快速、奏凯地已毕产能晋升（ramping）。台积电2024年和2025年分离推出 N3P 和 N3X 来晋升工艺时候价值，在提供突出性能和面积上风的同期，还保捏了与本年推出的N3E 的联想法例兼容性，简略最大程度地已毕 IP 复用。

N3是台积电3nm最第一版块，堪称对比N5同等功耗性能晋升10-15%、同等性能功耗申斥25-30%，逻辑密度达晋升了70%，SRAM 密度晋升了20%，模拟密度晋升了10%。

《公园北京：文化生产与文学想象（1860—1937）》，林峥著，北京大学出版社2022年10月第一版

纪念来说，N3的内容的性能、功耗、量产良率和经过等都未能达到预期。

二、特殊工艺

台积电提供了业界最全面的特殊工艺居品组合，包括电源料理、射频、CMOS 影像感测等，涵盖等闲的应用限制。从2017年到2022年，台积电对特殊工艺时候投资的年复合增长率越过40%。到2026年，台积公司瞻望将特殊工艺产能晋升近50%。

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（1）汽车：将3nm带入汽车市集

跟着汽车产业向自动驾驶标的发展，运算需求正在快速增多，且需要滥觞进的逻辑时候。到 2030 年，台积电瞻望 90% 的汽车将具备先进驾驶支持系统（ADAS），其中 L1、L2 和 L2+/L3 将有望分离达到 30% 的市集占有率。

在往日三年，台积电推出了汽车联想已毕平台（ADEP），通过提供最初业界、Grade 1 品性认证的 N7A 和 N5A 工艺来已毕客户在汽车限制的改进。

为了让客户在时候进修前就能事先进行汽车居品联想，台积电推出了 AutoEarly，四肢提前启动居品联想并裁减上市时辰的叩门砖。

●N4AE 是基于 N4P 开发的新时候，将允许客户在 2024 年运行进行试产。

●从前边的台积电的Roadmap来看，台积电蓄意在2024年推出业界第一个基于3nm的Auto Early时候，定名为N3AE。N3AE提供以N3E为基础的汽车制程联想套件（PDK），让客户简略提早采用3nm时候来联想汽车应用居品，以便于2025年实时采用届时已全面通过汽车制程考据的N3A 工艺时候。N3A 也将成为大师滥觞进的汽车逻辑工艺时候。

（2）赈济 5G 和联网性的先进射频时候

台积电在 2021 年推出了 N6RF，该时候是基于公司创记录的 7 纳米逻辑工艺时候，在速率和能源效率方面均具有同级最好的晶体管性能。

●结合了出色的射频性能以及优秀的 7 纳米逻辑速率和能源效率，台积电的客户不错通过从 16FFC 周折到 N6RF，在半数字和半类比的射频 SoC 上已毕功耗申斥 49%，减免挪动开荒在能源预算以赈济其他欺压成长的功能。

●台积电在这次上海时候论坛上通知推出滥觞进的互补式金属氧化物半导体（CMOS）射频时候 N4PRF，瞻望于 2023 年下半年发布。相较于 N6RF，N4PRF 逻辑密度增多 77%，且在疏通效用下，功耗申斥45%。N4PRF 也比其前代时候 N6RF 增多了 32%的 MOM 电容密度。

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不外，芯智讯并未在台积电网站上找到对于N4PRF 更进一步的府上。台积电PR部门示意，该工艺当前还在早期，因此无法提供更详备的信息。

（3）超低功耗

●台积电的超低功耗处治决议捏续推动申斥 Vdd，以已毕对电子居品而言至关攻击的节能。

●台积电欺压晋升时候水平，从 55ULP 的最小 Vdd 为 0.9V，到 N6e 的 Vdd已低于 0.4V，咱们提供等闲的电压操作领域，以已毕动态电压改变联想来达成最好的功耗∕性能。

● 相较于 N22 处治决议，行将推出的 N6e 处治决议可提供约 4.9 倍的逻辑密度，并可申斥越过 70%的功耗，为穿着式开荒提供极具劝诱力的处治决议。

（4）MCU / 镶嵌式非蒸发性存储器

●台积电滥觞进的 eNVM 时候仍是发展到了基于 16/12 纳米的鳍式场效应晶体管（FinFET）时候，令客户简略从 FinFET 晶体管架构的优秀性能中获益。

●由于传统的浮闸式 eNVM 或 ESF3 时候越来越复杂台积电还多半投资于RRAM 和 MRAM 等新的镶嵌式存储器时候。

这两种新时候都仍是赢得了恶果，正在 22 纳米和 40 纳米上投产。

台积电正在蓄意开发 6 纳米 eNVM 时候。

RRAM：仍是于 2022 年第一季运行出产 40/28/22 纳米的 RRAM。

●台积电的 28 纳米 RRAM 进展奏凯，具备可靠效用，适于汽车应用。

●台积电正在开发下一代的 12 纳米 RRAM，瞻望在 2024 年第一季就绪。

MRAM：2020 年运行出产的 22 纳米 MRAM 主要用于物联网应用，当前，台积电正在与客户合作将 MRAM 时候用于翌日的汽车应用，并瞻望在 2023 年第二季赢得 Grade 1 汽车品级认证。

（5）CMOS 影像传感器

●诚然智妙手机的相机模组一直是互补式金属氧化物半导体（CMOS）影像感测时候的主要驱能源，但台积公司瞻望车用相机将推动下一波 CMOS 影像感测器（CIS）的增长。

●为了知足翌日感测器的需求，已毕更高品性且更智能的感测，台积电一直致力于辩论多晶圆堆叠处治决议，以展示新的感测器架构，举例堆叠像素感测器、最小体积的全域快门感测器、基于事件的 RGB 交融感测器，以及具有集成存储器的 AI 感测器。

（6）自满器

●在 5G、东说念主工智能和 AR/VR 等时候驱动下，台积电正致力于为很多新应用提供更高的分辨率和更低的功耗。

●下一代高阶 OLED 面板将需要更多的数字逻辑和静态立时存取存储器（SRAM）内容，以及更快的帧率，为了知足此类需求，台积公司正在将其高压（HV）时候导入到 28 奈纳米的居品中，以已毕更好的能源效率和更高的静态立时存取存储密度。

●台积电最初的 µDisplay on silicon 时候不错提供高达 10 倍的像素密度，以已毕如 AR 和 VR 中使用的近眼自满器所需之更高分辨率。

三、先进封装时候：TSMC 3DFabric

为了进一步发展微缩时候，以在单芯片片上系统（monolithic SoCs）中已毕更小且更优异的晶体管，台积电还在开发 3DFabric 时候，施展异质整合的上风，将系统中的晶体管数目提高5倍，以致更多。

台积电3DFabric 系统整合时候包括多样先进的 3D 芯片堆叠和先进封装时候，以赈济等闲的下一代居品：在 3D 芯片堆叠方面，台积电在系统整合芯片（TSMC-SoIC）时候眷属中加入微凸块的 SoIC-P，以赈济更具资本明锐度的应用。

2.5D CoWoS 平台得以已毕先进逻辑和高频宽操心体的整合，适用于东说念主工智能、机器学习和数据中心等 HPC 应用；整合型扇出层叠封装时候（InFOPoP）和 InFO-3D 赈济挪动应用，InFO-2.5D 则赈济 HPC 小芯片整合。

基于堆叠芯顷刻候的系统整合芯片（SoIC）现可被整合于整合型扇出（InFO）或 CoWoS 封装中，以已毕最终系统整合。

1、CoWoS® 眷属

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●主要针对需要整合先进逻辑和高带宽存储器的 HPC 应用。台积电公司仍是赈济越过 25 个客户的 140 多种 CoWoS 居品。

●扫数 CoWoS 处治决议的中介层面积均在增多，以便整合更多先进芯片和高带宽存储器的堆叠，以知足更高的性能需求。

●台积电正在开发具有高达 6 个光罩尺寸（约 5,000 平方毫米）重布线层（RDL）中介层的 CoWoS 处治决议，简略容纳 12 个高带宽存储器堆叠。

具体来说，CoWoS仍是扩张到提供三种不同的转接板时候（CoWoS中的“晶圆”）：

①CoWoS-S

●采用硅中介层，基于现有硅片光刻和再散播层的加工

●自2012年运行批量出产，迄今为止为已向20多家客户提供了>100种居品

●转接板集成了镶嵌式“沟槽”电容器

●当前最新的第五代CoWoS-S封装时候，将增多 3 倍的中介层面积、8 个 HBM2e 堆栈（容量高达 128 GB）、全新的硅通孔（TSV）处治决议、厚 CU 互连、第一代的eDTC1100（1100nF/mm²）、以及新的 TIM（Lid 封装）决议。

字据官方的数据，台积电第 5 代 CoWoS-S封装时候，有望将晶体管数目翻至第 3 代封装处治决议的 20 倍。

②CoWoS-R

●使用有机转接板以申斥资本

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●多达 6 个互连的再散播层，2um/2um L/S

●4倍最大光罩尺寸，赈济一个 SoC，在 55mmX55mm 封装中具有 2 个 HBM2 堆栈；最新开发中的决议领有 2.1 倍最大光罩尺寸，赈济2 个 SoC 和 2HBM2 采用 85mmX85mm 封装

③CoWoS-L

●使用插入有机转接板中的小硅“桥”，用于相邻芯片边际之间的高密度互连（0.4um/0.4um L/S 间距）

●2023年将会推出领有2倍最大光罩尺寸大小，赈济 2 个 SoC 和 6 个 HBM2 堆栈的决议；2024年将推出4倍最大光罩尺寸，可赈济 12 个 HBM3 堆栈的决议。

台积电强调，他们正在与 HBM 模范小组合作，共同制定 CoWoS 实际的 HBM3 互连要求的物理建树。

HBM3 模范似乎仍是笃定了以下堆栈界说：4GB（带 4 个 8Gb 芯片）到 64GB（16 个 32Gb 芯片）的容量;1024 位信号接口;高达 819GBps 带宽。这些行将推出的具有多个 HBM3 堆栈的 CoWoS 建树将提供雄伟的内存容量和带宽。

此外，由于瞻望行将推出的CoWoS联想将具有更大的功耗，台积电正在辩论安妥的冷却处治决议，包括更正芯片和封装之间的热界面材料（TIM），以及从空气冷却过渡到浸入式冷却。

2、InFO

在临时载体上精准（面朝下）甩掉后，芯片被封装在环氧树脂“晶圆”中。再散播互连层被添加到重建的晶圆名义。然后将封装凸块径直勾通到再分派层。有InFO_PoP、InFO_oS和InFO_B三类。

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①InFO_PoP

如下图所示，InFO_PoP示意封装对封装建树，专注于DRAM封装与基本逻辑芯片的集成。DRAM顶部芯片上的凸块利用王人集InFO过孔（TIV）到达再行分派层。

InFO_PoP主要用于挪动平台，自 2016 年以来，InFO_PoP出货量越过 12 亿台。

InFO_PoP存在的一个问题是，当前DRAM封装是定制联想，只可在台积电制造。不外，在开发中的还有另一种InFO_B决议，其中在顶部添加了现有的（LPDDR）DRAM封装，而况组件由外部公约制造商提供。

台积电示意，在挪动应用方面，InFO PoP 自 2016 年运行量产并哄骗于高端挪动开荒，不错在更小的封装规格中容纳更大、更厚的系统级芯片（SoC）。

②InFO_oS

InFO_oS（基板上）不错封装多个芯片，再散播层过头微隆起勾通到带有TSV的基板。当前，InFO_oS投产已达5年以上，专注于HPC客户。

基板上有 5 个 RDL 层，2um/2um L/S该基板可已毕较大的封装尺寸，当前为110mm X 110mm，并蓄意已毕更大的尺寸领有130um C4 凸块间距

③InFO_M

InFO_M是InFO_oS的替代决议，具有多个封装芯片和再散播层，无需突出的基板+ TSV（<500mm²封装，于2022年下半年投产）。

台积电示意，在 HPC 应用方面，无基板的 InFO_M 赈济高达 500 平方毫米的小芯片整合，适用于对外型尺寸明锐度较高的应用。

3、3D 芯片堆叠时候

台积电更先进的垂直芯片堆叠3D拓扑封装系列被称为“系统级集成芯片”（SoIC）。它利用芯片之间的径直铜键合，具有优秀的间距。

SoIC有两种居品——“wafer-on-wafer”（WOW）和“chip-on-wafer”（COW）。WOW拓扑在晶圆上集成了复杂的SoC芯片，提供深沟槽电容（DTC）结构，以已毕最好去耦。更通用的 COW 拓扑堆叠多个 SoC 芯片。

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下表自满了安妥SoIC拼装条件的工艺制程节点。

●SoIC-P 采用 18-25 微米间距微凸块堆叠时候，主要针对如挪动、物联网等资本较为明锐的应用。

●SoIC-X 采用无凸块堆叠时候，主要针对 HPC 应用。其芯片对晶圆堆叠决议具有 4.5 至 9 微米的键合间距，已在台积公司的 N7 工艺时候中量产，用于HPC 应用。

●SoIC 堆叠芯片不错进一步整合到 CoWoS、InFo 或传统倒装芯片封装，哄骗于客户的最终居品。

6月14日，处理器大厂AMD阐扬发布了新一代的面向AI及HPC限制的GPU居品——Instinct MI 300系列。其中，MI300X则是当前大师最强的生成式AI加速器，集成了高达1530亿个晶体管，并赈济高达 192 GB 的 HBM3内存，多项规格越过了英伟达（NVIDIA）最新发布的H100芯片。

台积电示意，AMD Instinct MI 300X采用了台积电 SoIC-X 时候将 N5 GPU 和 CPU 堆叠于底层芯片，并整合在CoWoS 封装中，以知附近一代百万兆级（exa-scale）运算的需求，这亦然台积电3DFabric 时候推动 HPC 改进的绝佳案例。

4、3DFabric™ 定约和 3Dblox™ 模范

在前年的绽放改进平台（Open Innovation Platform® ，OIP）论坛上，台积电通知推出新的 3DFabric™ 定约，这是继 IP 定约、电子联想自动化（EDA）定约、联想中心定约（DCA）、云霄（Cloud）定约和价值链定约（VCA）之后的第六个 OIP定约，旨在促进下一代 HPC 和挪动联想的生态系统合作，具体包括：

●提供 3Dblox 绽放模范

●已毕有储器和台积公司逻辑工艺之间的细腻融合

●将基板和测试合作伙伴导入生态系统

台积电推出了最新版块的绽放式模范联想谈话 3Dblox™ 1.5，旨在申斥 3D IC 联想的门槛。

四、不凡制造

台积电在先进制程的劣势密度（D0）和每百万件居品劣势数（DPPM）方面的最初地位，展现了其制造不凡性。

●N5 工艺复杂度远高于 N7，但在疏通阶段，N5 的良率优化比 N7 更好。

●台积电 N3 工艺时候在高度量产中的良率透露最初业界，其 D0 效用仍是与 N5 同期的透露畸形。

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●台积电 N7 和 N5 制程时候在包括智妙手机、电脑和汽车等方面，展现了最初业界的 DPPM，咱们笃信 N3 的 DPPM 很快就能追上 N5 的透露。

●通过利用台积电最初业界的 3DFabric™ 制造时候，客户不错克服系统级联想复杂性的挑战，加速居品改进。

●CoWoS 和 InFO 眷属在量产后很快就达到了畸形高的良率。

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●SoIC 和先进封装的整合良率将达到与 CoWoS 和 InFO 眷属疏通的水平。

五、产能布局

为了知足客户欺压增长的需求，台积公司加速了晶圆厂拓展的脚步。

从 2017 年到 2019 年，台积电平均每年进行大要 2 期的晶圆厂确立工程。

从 2020 年到 2023 年，台积公司晶圆厂的平均确立经过大幅增多至每年约5 期的工程。

在往日两年，台积公司所有伸开了 10 期的晶圆厂新建工程，包括在台湾地区的 5 期晶圆厂工程与 2 期先进封装厂工程，以及大师领域内的 3 期晶圆厂工程。

●中国台湾地区之外，28 纳米及以下工艺产能在 2024 年将比 2020 年增多 3 倍。在中国台湾地区，台积电 N3 制程量产的基地在南科 18 厂；此外，台积电正在为N2 制程的新晶圆厂进行准备。

●在中国大陆，台积电2002年在上海松江教学8吋晶圆厂，并于2016年在南京设12吋晶圆厂和一座联想管事中心。当前，南京厂新 1 期的 28 纳米制程扩产已于前年量产。

●在好意思国，台积电正在亚利桑那州建造 2 期晶圆厂，总投资400亿好意思元。当前第一期仍是运行移入开荒，第二期正在兴修中。

●在日本，台积电正在熊本兴修一座晶圆厂，蓄意总投资86亿好意思元，瞻望在2023 年 9 月完工，2024 年底运行量产16 纳米和 28 纳米时候。本年1月，台积电对外示意，探讨在日本兴修第二座晶圆厂。在6月6日的推进会上，台积电董事长刘德音首度涌现评估中的日本二厂可能仍会建在熊本县，会设在日本一厂隔壁，而况仍将面向进修制程。

●在德国，台积电正探讨在德国建一座晶圆厂，当前对于德国建厂的可能性仍在谈判当中，但在 8 月之前不会作念出决定。

据此前彭博社的报说念自满，台积电正在与合作伙伴筹议，蓄意在争取到《欧洲芯片法案》的补助赈济的情况下，在2023年8月份的董事会上批准赴德国建立晶圆厂蓄意。瞻望将投资最高将接近100亿欧元，具体落脚点可能是在德国萨克森州。一朝台积电决定在德国建厂，那么这将是台积电在欧洲的首座晶圆厂。因为欧洲汽车工业的需求，该座晶圆厂瞻望将会以出产车用 MCU 需求的28nm进修制程运行。

台积电董事长刘德音曾示意，淌若在德国设厂，原则上如故但愿简略看守独资，不外，淌若客户但愿能领有部分股份，将会让其小额捏股，台积电如故会捏有大部分股权，但愿能目田调配产能，幸免以后产能遭限度。

六、绿色制造

为了已毕 2050 年净零排放的方针，台积电捏续评估并投资多样减少温室气体排放的契机。

●到 2022 年，台积电径直温室气体排放量仍是较 2010 年申斥了 32%。

●此一恶果是通过申斥工艺气体破钞、替换可能形成大师暖化的气体、安设现场废气处理开荒，以及提高气体去除效率等样貌已毕。

台积电方针每个工艺时候于量产第五年时，出产能源效率提高一倍。

●N7 制程时候的出产能源效率在量产后第五年提高了 2.5 倍。

●台积电瞻望到 2024 年，N5 制程时候的出产能源效率将提高 2.5 倍。

前年，台积电在台湾地区南部建立了第一座再生水厂，逐日给水量 5,000 公吨，时于当天，该再生水厂逐日给水量达 20,000 公吨。

●到 2030 年，台积公司的每出产单元自来水破钞量将降至 2020 年的 60%。

本文主要内容摘自：芯智讯，原文标题：《台积电上海时候论坛到底讲了些什么？ 》2024年宝马会轮盘，原文有改削。

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